微发光二极體(tǐ)阵列(Micro LED Array)以定址驱动

宽能(néng)隙（Wide Bandgap）氮化镓半导體(tǐ)（GaN）及其相关化合物(wù)半导體(tǐ)材料广泛应用(yòng)于照明和各种光電(diàn)元件。氮化镓发光二极體(tǐ)（GaN led）发光波長(cháng)的未来，发光波長(cháng)将完全取代传统的白炽灯泡和荧光灯作為(wèi)照明光源。

另一个潜在的光電(diàn)元件是微光電(diàn)阵列元件（Micro Optoelectronic Device），这个组件集成成千上万像发光體(tǐ)（Emitter）、侦测器（Detector）、光學(xué)开关（OpTIcal Switch）或光波导（OpTIcal Waveguide）在单晶片上等待微型元件。工业研究院预计未来微光電(diàn)阵列元件将显示和生医感知（Biosensor）、光通信或光纤通信，光互连 （Interconnect）及讯号处理(lǐ)（Signal Process）在该领域发挥重要作用(yòng)。

微发光二极體(tǐ)阵列（Micro LED Array）以定址驱动技术為(wèi)显示器，除了具有(yǒu)LED其自发光显示-无背光源，具有(yǒu)节能(néng)、机构简单、體(tǐ)积小(xiǎo)、反应时间快等优点。Micro LED与同样是自发光的有(yǒu)机发光二极體(tǐ)相比（OLED）材料稳定性好，使用(yòng)寿命長(cháng)，无影像烙印等问题，其独特的高亮度特性应用(yòng)于投影显示，如微投影（Pico ProjecTIon）、头戴式光學(xué)透视显示器（See-through HMD）、抬头显示器（Head-up Display，HUD）等等，更有(yǒu)竞争力。另外，奈秒(miǎo)（Nano Second）等级的高速响应特性使LED除了三维(3)D）显示外，作為(wèi)智能(néng)显示器的可(kě)视光无線(xiàn)通信功能(néng)，可(kě)以高速调变和承载信号。

Micro LED技术塬理(lǐ)

Micro LED微显示器的晶片表面必须像LED像显示器一样的阵列结构，每个点画素（Pixel）必须由定址控制，并由单独驱动点亮。如果通过互补金属氧化物(wù)半导體(tǐ)（CMOS）電(diàn)路驱动是主动定位驱动架构，Micro LED阵列晶片与CMOS通过封装技术，如覆晶封装（Flip Chip Bonding）形成電(diàn)性连接。Micro LED通过整合微透镜阵列（Microlens Array），提高亮度和对比度。Micro LED微显示晶片，Micro LED阵列通过垂直交错的正负格栅電(diàn)极（P-metal Line N-metal Line）连结每一颗Micro LED正负极通过電(diàn)极線(xiàn)依次通電(diàn)，通过扫描点亮Micro LED显示图像。主动驱动显示器比被动矩阵驱动更节能(néng)，反应速度更快。向来是高解析显示器主流驱动方式。

1 Micro LED被动定址阵列架构示意和晶片照片

Micro LED迫切需要突破技术挑战

Micro LED（《50微米（